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由于电极材料间存在dW间隙，深度数智升级金属-二维半导体的电子波函数杂化耦合较弱，深度数智升级导致金属-二维半导体接触稳定性差、接触电阻高、开态电流密度低，限制了器件性能。行芜（d）放大c红色框中的原子分辨率图像。

Rc小于共价键结合的M-S触点，湖苏低至42微欧，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。(d-f)Sb(0112)和Sb(0001)触点的Rc(d)、畅工产业LT(e)和μint (f)分布。2.Sb(0112)接触展现出来的优异电学性能、业互园区稳定性和后端兼容性证明该技术有望成为二维电子器件的核心技术。

研究者使用边缘接触，助力低功函数金属，超高真空蒸发，隧道接触和半金属接触等种种办法来减少这种接触间隙的影响。（b–h）通道长度分别为0.1μm(b)、朗坤亮相联网0.2μm(c)、0.4μm(d)、0.6μm(e)、0.8μm(f)、1.0μm(g)和1.5μm(h)的MoS2 FETs在Vds=1V下的传输特性。

© 2023SpringerNatureLimited(a-b)Sb(0112)-MoS2能带图，深度数智升级(c-d)EF附近的电荷密度(左)和Sb(0112)的微分电荷密度(右)，(e-h)参数测量。

除了n型MoS2外，行芜研究还拓展了双极性二硒化钨(WSe2)器件的低Rc，这说明Sb(0112)接触有望成为超越硅的过渡金属二硫属化物电子产品的核心技术。在内部邮件中，湖苏小米称张峰是因个人原因，将于今年12月完成工作交接后离职。

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